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        國產(chǎn)替代刻不容緩,九鼎投資如何投資布局國產(chǎn)IGBT?|今日播報

        IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),即絕緣柵型雙極型晶體管,是工業(yè)控制及自動化領(lǐng)域能源變換和傳輸?shù)暮诵脑骷?/p>

        近年來,我國IGBT下游應(yīng)用廣泛,需求逐步擴大,中國已逐漸成為全球最大的IGBT市場。同時,全球能源緊缺、國際市場供貨緊張等因素也使得IGBT的國產(chǎn)替代顯得更加至關(guān)重要。

        過去十多年,作為國內(nèi)老牌PE投資機構(gòu),九鼎投資沿半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈投資了大量細分領(lǐng)域的優(yōu)秀企業(yè)。今天,當(dāng)我們從電子時代走向智能世紀(jì),半導(dǎo)體作為核心部件和我國的短板產(chǎn)業(yè),在未來十年仍然處于高速成長期。


        (資料圖片)

        梳理九鼎投資在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)多年的投資研究,針對被稱為電力電子裝置“CPU”的功率半導(dǎo)體器件IGBT,九鼎投資認為,隨著國家對第三代半導(dǎo)體材料的重視,當(dāng)全新的國產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈完備之時,國產(chǎn)IGBT或可屹立于世界前列。

        國產(chǎn)替代是必須解決的一道難題

        以新能源汽車普及為IGBT產(chǎn)業(yè)帶來的發(fā)展機遇為例,國內(nèi)的汽車企業(yè)興奮不已,不少車企認為這是我國汽車產(chǎn)業(yè)彎道超車的絕佳機會。

        然而,九鼎投資認為,沒有核心技術(shù)的彎道超車仍是偽命題。因為,在電動汽車時代,國產(chǎn)電控技術(shù)與國外的差距,將比內(nèi)燃機時代更大。在內(nèi)燃機時代,通過測繪模仿,發(fā)動機性能能達到80%。而電氣化時代,經(jīng)過晶圓切割、測試、封裝制造出好比計算機CPU的新能源汽車IGBT芯片則非常難,進行模仿的山寨之路不通,只能走自己的路。

        與此同時,由于外企對擴張保守,且功率器件產(chǎn)能擴張周期長,新能源市場在未來一段時間都將出現(xiàn)IGBT的供應(yīng)缺口,這成為了新能源汽車發(fā)展的瓶頸。想要實現(xiàn)彎道超車,IGBT的國產(chǎn)化自給自足是必須解決的一道難題。

        目前,IGBT行業(yè)的主要產(chǎn)業(yè)鏈包括:芯片設(shè)計、芯片制造和模塊的設(shè)計、封裝和測試,主要有IDM、Fabless、模塊集成幾個主流模式。九鼎投資在行業(yè)掃描過程中發(fā)現(xiàn),不同模式領(lǐng)域都已有不少中國本土的大型企業(yè)、創(chuàng)業(yè)公司在進行探索和嘗試。

        啊、資金的傾斜,中國IGBT行業(yè)的發(fā)展也獲得了前所未有的動能。同時,出于供應(yīng)鏈安全考慮,在不同領(lǐng)域的下游廠商,都更多傾向使用國內(nèi)半導(dǎo)體廠商產(chǎn)品,國產(chǎn)IGBT份額有望提升。

        從一級市場投資角度看,九鼎投資認為,在市場需求的吸引下,自2005年開始,大量海外IGBT人才紛紛歸國,投入國產(chǎn)IGBT芯片和模塊產(chǎn)業(yè)的發(fā)展;我國IGBT產(chǎn)業(yè)化水平已有了一定提升,部分企業(yè)已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)。此外,國內(nèi)IGBT廠商普遍具備性價比高、響應(yīng)速度快等本土化服務(wù)優(yōu)勢。

        具體而言,對于該行業(yè)中處于早期發(fā)展階段的項目,九鼎投資將關(guān)注注重技術(shù)研發(fā)的Fabless模式運營的半導(dǎo)體企業(yè)。

        對于已經(jīng)有一定體量的項目,九鼎投資表示,將優(yōu)先關(guān)注擁有自主可控的生產(chǎn)線,有產(chǎn)品交付能力的企業(yè)。2021年,斯達半導(dǎo)體正是因為沒有自主可控的產(chǎn)品生產(chǎn)線,與理想、小鵬的訂單失之交臂。在全球疫情席卷、地緣政治變化莫測的情形下,產(chǎn)品交付能力將是企業(yè)的核心競爭力。

        同時,伴隨第三代半導(dǎo)體材料的出現(xiàn),全球SiC器件還處于剛剛起步的階段,即使海外龍頭企業(yè)具有一些先發(fā)優(yōu)勢,但技術(shù)差距遠遠小于IGBT數(shù)十年積累的“迭代鴻溝”。因此,國產(chǎn)IGBT企業(yè)不僅要在Si-IGBT領(lǐng)域發(fā)力,在SiC功率器件上有技術(shù)儲備和產(chǎn)能布局的中國企業(yè)也將具備彎道超車的機會,這類企業(yè)也是九鼎投資重點關(guān)注的。

        隨著國家對第三代半導(dǎo)體材料的重視,當(dāng)全新的國產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈完備之時,國產(chǎn)IGBT或可屹立于世界前列。

        本文來源:財經(jīng)報道網(wǎng)

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